JAN1N5807
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| モデル | JAN1N5807 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | JAN1N5807 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 4313 pcs | データシート | 1N5807,9,11 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 875mV @ 4A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 50V | 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/477 | 逆回復時間（trrの） | 30ns |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | B, Axial |
| 他の名前 | 1086-2123 1086-2123-MIL |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant | ダイオードタイプ | Standard |
| 詳細な説明 | Diode Standard 50V 6A Through Hole | 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 50V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 6A | Vrと、F @キャパシタンス | 60pF @ 10V, 1MHz |
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