JAN1N649-1
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| モデル | JAN1N649-1 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 説明 | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | JAN1N649-1 | メーカー | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 4148 pcs | データシート | 1N649-1 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - ピーク逆（最大） | Standard |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 400mA | 電圧 - ブレークダウン | DO-35 |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/240 | RoHSステータス | Bulk |
| 逆回復時間（trrの） | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | もし、F @抵抗 | - |
| 偏光 | DO-204AH, DO-35, Axial | 他の名前 | 1086-15995 1086-15995-MIL |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | JAN1N649-1 | 拡張された説明 | Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35 |
| ダイオード構成 | 50nA @ 600V | 説明 | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1V @ 400mA | 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 600V |
| Vrと、F @キャパシタンス | -65°C ~ 175°C |
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