JAN2N5014
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| モデル | JAN2N5014 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | NPN TRANSISTOR |
| フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | JAN2N5014 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | NPN TRANSISTOR | フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS非対応 |
| 株式 | 5064 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 900V |
| トランジスタ型式 | NPN | サプライヤデバイスパッケージ | TO-5 |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/727 | RoHSステータス | RoHS non-compliant |
| 電力 - 最大 | 1W | パッケージ/ケース | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 周波数 - トランジション | - | 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-5 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 30 @ 20mA, 10V | 電流 - コレクタ遮断（最大） | 10nA (ICBO) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 200mA |
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