JAN2N7334
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| モデル | JAN2N7334 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | JAN2N7334 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 5044 pcs | データシート | 2N7334 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | MO-036AB | シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/597 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 700 mOhm @ 600mA, 10V | 電力 - 最大 | 1.4W |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 他の名前 | JAN2N7334-MIL | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60nC @ 10V | FETタイプ | 4 N-Channel |
| FET特長 | Standard | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A |
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