JANSD2N2907A
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| モデル | JANSD2N2907A |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | SMALL-SIGNAL BJT |
| フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $27.546 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | JANSD2N2907A | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | SMALL-SIGNAL BJT | フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS非対応 |
| 株式 | 1380 pcs | データシート | 2N2906A, 07A(L,UA,UB,UBC) |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 60V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 1.6V @ 50mA, 500mA | トランジスタ型式 | PNP |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-18 | シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/291 |
| RoHSステータス | RoHS non-compliant | 電力 - 最大 | 500mW |
| パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | メーカーの標準リードタイム | 33 Weeks |
| 周波数 - トランジション | - | 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 100 @ 150mA, 10V | 電流 - コレクタ遮断（最大） | 50nA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 600mA |
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