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JANTX1N5812

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モデル JANTX1N5812
メーカー Microsemi Corporation
説明 DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
In Stock 4904 pcs
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モデル JANTX1N5812 メーカー Microsemi Corporation
説明 DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
株式 4904 pcs データシート 1N5812(R), 14(R), 169(R)
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - ピーク逆(最大) Standard
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 20A 電圧 - ブレークダウン DO-203AA (DO-4)
シリーズ MILITARY, MIL-PRF-19500/478 RoHSステータス Bulk
逆回復時間(trrの) Fast Recovery = 200mA (Io) もし、F @抵抗 300pF @ 10V, 1MHz
偏光 DO-203AA, DO-4, Stud 他の名前 1086-15834
1086-15834-MIL
動作温度 - ジャンクション 35ns 装着タイプ Chassis, Stud Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 製造元の部品番号 JANTX1N5812
拡張された説明 Diode Standard 50V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) ダイオード構成 10µA @ 50V
説明 DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA 電流 - 漏れ@ Vrとリバース 950mV @ 20A
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり) 50V Vrと、F @キャパシタンス -65°C ~ 175°C

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