JANTXV2N3019
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| モデル | JANTXV2N3019 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | TRANS NPN 80V 1A |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.493 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | JANTXV2N3019 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS NPN 80V 1A | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 3681 pcs | データシート | 2N3019 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 80V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 500mV @ 50mA, 500mA | トランジスタ型式 | NPN |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-5 | シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/391 |
| 電力 - 最大 | 800mW | パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | 他の名前 | 1086-3069 1086-3069-MIL |
| 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 23 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant | 周波数 - トランジション | - |
| 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5 | Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 50 @ 500mA, 10V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 10µA (ICBO) | 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 1A |
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