JANTXV2N6766
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| モデル | JANTXV2N6766 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET N-CH |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | JANTXV2N6766 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 5488 pcs | データシート | 2N6764,66,68,70 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 | シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90 mOhm @ 30A, 10V | 電力消費（最大） | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | TO-204AE |
| 他の名前 | JANTXV2N6766-MIL | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 115nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200V |
| 詳細な説明 | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
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