IRF640FP
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| モデル | IRF640FP |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.486 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | IRF640FP | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 75039 pcs | データシート | IRF640(FP) |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FP | シリーズ | MESH OVERLAY™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180 mOhm @ 9A, 10V | 電力消費（最大） | 40W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1560pF @ 25V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 72nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200V |
| 詳細な説明 | N-Channel 200V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) |
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