IRF820
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| モデル | IRF820 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.213 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | IRF820 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 111970 pcs | データシート | IRF820 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | シリーズ | PowerMESH™ II |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3 Ohm @ 1.5A, 10V | 電力消費（最大） | 80W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 他の名前 | 497-2733-5 | 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 315pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500V | 詳細な説明 | N-Channel 500V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) |
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