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MJD122-1

MJD122-1
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モデル MJD122-1
メーカー STMicroelectronics
説明 TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 153563 pcs
価格
(US $)
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モデル MJD122-1 メーカー STMicroelectronics
説明 TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 153563 pcs データシート MJD122(T4,-1), MJD127(T4,-1)
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 100V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 4V @ 80mA, 8A トランジスタ型式 NPN - Darlington
サプライヤデバイスパッケージ TO-251-3 シリーズ -
電力 - 最大 20W パッケージング Bulk
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 他の名前 497-16183
MJD122-1-ND
運転温度 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション - 詳細な説明 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Through Hole TO-251-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 1000 @ 4A, 4V 電流 - コレクタ遮断(最大) 10µA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 8A ベース部品番号 MJD122

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