SCTWA50N120
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| モデル | SCTWA50N120 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.576 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | SCTWA50N120 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 3526 pcs | データシート | SCTWA50N120 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +25V, -10V | 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | HiP247™ | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 69 mOhm @ 40A, 20V | 電力消費（最大） | 318W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | 運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900pF @ 400V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 122nC @ 20V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V | 詳細な説明 | N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) |
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- モデル:
SCT65 - メーカー:
TDK-Lambda Americas, Inc. - 説明:
AC/DC CONVERTER 5V 24V 12V 60W - 株式:
1749