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STB33N60DM2

STB33N60DM2
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モデル STB33N60DM2
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 600V 24A
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 35967 pcs
価格
(US $)
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Product parameter

モデル STB33N60DM2 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 600V 24A フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 35967 pcs データシート ST(B,P,W)33N60DM2
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK シリーズ MDmesh™ DM2
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 130 mOhm @ 12A, 10V 電力消費(最大) 190W (Tc)
パッケージング Original-Reel® パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 497-16354-6 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1870pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 43nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V 詳細な説明 N-Channel 600V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 24A (Tc)

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