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STB6N60M2

STB6N60M2
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モデル STB6N60M2
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 600V D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 88513 pcs
価格
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$0.255

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モデル STB6N60M2 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 600V D2PAK フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 88513 pcs データシート STx6N60M2
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK シリーズ MDmesh™ II Plus
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V 電力消費(最大) 60W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 497-13934-2
STB6N60M2-ND
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 42 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 232pF @ 100V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 8nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.5A (Tc)

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