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STFI9N60M2

STFI9N60M2
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モデル STFI9N60M2
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 66789 pcs
価格
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$0.313

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モデル STFI9N60M2 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 66789 pcs データシート STF9N60M2
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAKFP (TO-281) シリーズ MDmesh™ II Plus
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 780 mOhm @ 3A, 10V 電力消費(最大) 20W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
運転温度 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 42 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 320pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 10nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V 詳細な説明 N-Channel 600V 5.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.5A (Tc)

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