STFU16N65M2
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| モデル | STFU16N65M2 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET |
| フリーステータス/ RoHS状態 |
| 価格 （US $） | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.484 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | STFU16N65M2 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 株式 | 63354 pcs | データシート | STFU16N65M2 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FP | シリーズ | MDmesh™ M2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360 mOhm @ 5.5A, 10V | 電力消費（最大） | 25W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | メーカーの標準リードタイム | 42 Weeks |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 718pF @ 100V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19.5nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) |
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