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STGW30M65DF2

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モデル STGW30M65DF2
メーカー STMicroelectronics
説明 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 49923 pcs
価格
(US $)
1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs1020 pcs
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モデル STGW30M65DF2 メーカー STMicroelectronics
説明 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 49923 pcs データシート STGW(A)30M65DF2 Datasheet
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 650V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 2V @ 15V, 30A 試験条件 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃ 31.6ns/115ns エネルギーの切り替え 300µJ (on), 960µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247 シリーズ -
逆回復時間(trrの) 140ns 電力 - 最大 258W
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-247-3
他の名前 497-16485-5 運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 42 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ Standard IGBTタイプ Trench Field Stop
ゲートチャージ 80nC 詳細な説明 IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247
電流 - コレクタパルス(ICM) 120A 電流 - コレクタ(Ic)(Max) 60A

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