STH110N8F7-2
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| モデル | STH110N8F7-2 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET |
| フリーステータス/ RoHS状態 |
| 価格 （US $） | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.276 | |||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | STH110N8F7-2 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 株式 | 68199 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2Pak-2 | シリーズ | STripFET™ F7 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.6 mOhm @ 55A, 10V | 電力消費（最大） | 170W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | メーカーの標準リードタイム | 38 Weeks |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3200pF @ 25V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V |
| 詳細な説明 | N-Channel 80V 110A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) |
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