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STH80N10F7-2

STH80N10F7-2
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モデル STH80N10F7-2
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 80526 pcs
価格
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1000 pcs
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モデル STH80N10F7-2 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 80526 pcs データシート STx80N10F7,STH80N10F7-2
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ H2Pak-2 シリーズ DeepGATE™, STripFET™ VII
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 9.5 mOhm @ 40A, 10V 電力消費(最大) 110W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 497-14980-2 運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 38 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3100pF @ 50V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 45nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 100V
詳細な説明 N-Channel 100V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80A (Tc)

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