STI175N4F6AG
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| モデル | STI175N4F6AG |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.383 | |||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | STI175N4F6AG | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 79969 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | シリーズ | STripFET™ F6 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7 mOhm @ 60A, 10V | 電力消費（最大） | 190W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 38 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7735pF @ 20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 130nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40V | 詳細な説明 | N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) |
- 関連製品
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- モデル:
531AA133M330DGR - メーカー:
Energy Micro (Silicon Labs) - 説明:
SINGLE FREQUENCY XO, OE PIN 1 - 株式:
10527