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STI8N65M5

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モデル STI8N65M5
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 4589 pcs
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モデル STI8N65M5 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 4589 pcs データシート STx8N65M5
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK シリーズ MDmesh™ V
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 600 mOhm @ 3.5A, 10V 電力消費(最大) 70W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前 497-11333-5 運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 690pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 15nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650V 詳細な説明 N-Channel 650V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7A (Tc)

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