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STL110N10F7

STL110N10F7
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モデル STL110N10F7
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 67355 pcs
価格
(US $)
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モデル STL110N10F7 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 67355 pcs データシート STL110N10F7
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerFlat™ (5x6) シリーズ DeepGATE™, STripFET™ VII
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 6 mOhm @ 10A, 10V 電力消費(最大) 136W (Tc)
パッケージング Cut Tape (CT) パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
他の名前 497-13877-1 運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 38 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5117pF @ 50V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 72nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 100V
詳細な説明 N-Channel 100V 107A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 107A (Tc)

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