STP10N60M2
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| モデル | STP10N60M2 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V TO-220 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.709 | $0.568 | $0.497 | $0.385 | $0.304 | |
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | STP10N60M2 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 600V TO-220 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 63006 pcs | データシート | STx10N60M2 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | シリーズ | MDmesh™ II Plus |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 600 mOhm @ 3A, 10V | 電力消費（最大） | 85W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 他の名前 | 497-13970-5 STP10N60M2-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 42 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400pF @ 100V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600V |
| 詳細な説明 | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.5A (Tc) |
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