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STP12N65M5

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モデル STP12N65M5
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 51596 pcs
価格
(US $)
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モデル STP12N65M5 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 51596 pcs データシート STx12N65M5
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB シリーズ MDmesh™ V
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 430 mOhm @ 4.3A, 10V 電力消費(最大) 70W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 497-10304-5 運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 900pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 22nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650V 詳細な説明 N-Channel 650V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8.5A (Tc)

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