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STP165N10F4

STP165N10F4
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モデル STP165N10F4
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 39384 pcs
価格
(US $)
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モデル STP165N10F4 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 39384 pcs データシート STP165N10F4
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB シリーズ DeepGATE™, STripFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 5.5 mOhm @ 60A, 10V 電力消費(最大) 315W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 497-10710-5 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 38 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 10500pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 180nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 100V
詳細な説明 N-Channel 100V 120A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220AB 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)

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