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STP190N55LF3

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モデル STP190N55LF3
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 36607 pcs
価格
(US $)
1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$2.132$1.714$1.561$1.264$1.066

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モデル STP190N55LF3 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 36607 pcs データシート STP190N55LF3
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±18V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3 シリーズ STripFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 3.7 mOhm @ 30A, 10V 電力消費(最大) 312W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 497-8810-5
STP190N55LF3-ND
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 38 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6200pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 80nC @ 5V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V, 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 55V
詳細な説明 N-Channel 55V 120A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220-3 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)

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