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STP25N60M2-EP

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モデル STP25N60M2-EP
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 43179 pcs
価格
(US $)
1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$1.728$1.387$1.264$1.023$0.863

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モデル STP25N60M2-EP メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 43179 pcs データシート STP25N60M2-EP
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4.75V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220 シリーズ MDmesh™ M2-EP
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 188 mOhm @ 9A, 10V 電力消費(最大) 150W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 497-15892-5 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 42 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1090pF @ 100V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 29nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18A (Tc)

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