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STP7NM80

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モデル STP7NM80
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 40826 pcs
価格
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モデル STP7NM80 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 40826 pcs データシート STx7NM80(-1) Datasheet
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3 シリーズ MDmesh™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.05 Ohm @ 3.25A, 10V 電力消費(最大) 90W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 497-8813-5
STP7NM80-ND
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 42 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 620pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 18nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 800V
詳細な説明 N-Channel 800V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.5A (Tc)

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