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STQ2HNK60ZR-AP

STQ2HNK60ZR-AP
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モデル STQ2HNK60ZR-AP
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 161419 pcs
価格
(US $)
2000 pcs
$0.122

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モデル STQ2HNK60ZR-AP メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 161419 pcs データシート STx2HNK60Z(x)
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 50µA
Vgs(最大) ±30V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3 シリーズ SuperMESH™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4.8 Ohm @ 1A, 10V 電力消費(最大) 3W (Tc)
パッケージング Tape & Box (TB) パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
他の名前 497-12344-3
STQ2HNK60ZRAP
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 38 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 280pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 15nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 500mA (Tc)

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