STU3N65M6
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| モデル | STU3N65M6 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.158 | |||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | STU3N65M6 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 143611 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.75V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | シリーズ | MDmesh™ M6 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5 Ohm @ 1.75A, 10V | 電力消費（最大） | 45W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 150pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650V | 詳細な説明 | N-Channel 650V 3.5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A (Tc) |
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