STW65N65DM2AG
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| モデル | STW65N65DM2AG |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 60A |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.199 | $3.443 | $3.107 | $2.603 | ||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | STW65N65DM2AG | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 60A | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 14935 pcs | データシート | STW65N65DM2AG |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | シリーズ | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50 mOhm @ 30A, 10V | 電力消費（最大） | 446W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 他の名前 | 497-16127-5 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 42 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5500pF @ 100V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
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Honeywell Microelectronics & Precision Sensors - 説明:
PRESSURE TRANSDUCER - 株式:
28
