STWA50N65DM2AG
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| モデル | STWA50N65DM2AG |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | POWER TRANSISTORS |
| フリーステータス/ RoHS状態 |
| 価格 （US $） | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.922 | |||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | STWA50N65DM2AG | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | POWER TRANSISTORS | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 株式 | 19675 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | シリーズ | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 87 mOhm @ 19A, 10V | 電力消費（最大） | 300W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | メーカーの標準リードタイム | 42 Weeks |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3200pF @ 100V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 69nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 38A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) |
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