1N5809US.TR

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| モデル | 1N5809US.TR |
|---|---|
| メーカー | Semtech |
| 説明 | DIODE GEN PURP 100V 6A |
| フリーステータス/ RoHS状態 |
| 価格 (US $) | 250 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.553 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 1N5809US.TR | メーカー | Semtech |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 100V 6A | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 株式 | 5828 pcs | データシート | 1N5807US,09US,11US |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 875mV @ 4A |
| 電圧 - 逆(VR)(最大) | 100V | サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | シリーズ | - |
| 逆回復時間(trrの) | 30ns | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | SQ-MELF | 動作温度 - ジャンクション | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | メーカーの標準リードタイム | 46 Weeks |
| ダイオードタイプ | Standard | 詳細な説明 | Diode Standard 100V 6A Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 100V | 電流 - 平均整流(イオ) | 6A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 60pF @ 5V, 1MHz |
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