BS120E0F
OMRON AUTOMATION & SAFETY画像のみを参照してください。参考
としての製品情報を使用して、購入したすべてのBS120E0F
に1年の保証を提供するために仕様
Components-World.HKを確認してください。
としての製品情報を使用して、購入したすべてのBS120E0F
に1年の保証を提供するために仕様
Components-World.HKを確認してください。
オンラインお問い合わせ
| モデル | BS120E0F |
|---|---|
| メーカー | Sharp Microelectronics |
| 説明 | PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | BS120E0F | メーカー | Sharp Microelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 5948 pcs | データシート | BS120E0F Spec |
| プロダクト | センサ、トランスデューサ | 波長 | 560nm |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 10V | 視角 | - |
| スペクトル域 | 500nm ~ 600nm | シリーズ | - |
| 応答@ nmの | - | 反応時間 | - |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | Side View |
| 他の名前 | 425-2429-5 | 運転温度 | -20°C ~ 60°C |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | ダイオードタイプ | - |
| 詳細な説明 | Photodiode 560nm Side View | 電流 - ダーク（標準） | 3pA |
| 色 - 拡張 | - | 活性化領域 | 1.55mm² |
- 関連製品
- 関連ニュース
関連製品
- モデル:
BS12T-MC - メーカー:
MPD (Memory Protection Devices) - 説明:
9V SNAP T STYLE 12" WIRE W/COVER - 株式:
103683
- モデル:
BS12I-HD-24AWG - メーカー:
MPD (Memory Protection Devices) - 説明:
SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HD - 株式:
105152
- モデル:
BS12T - メーカー:
MPD (Memory Protection Devices) - 説明:
9V SNAP T STYLE 12" WIRE LEADS - 株式:
131462
- モデル:
BS12T-HD - メーカー:
MPD (Memory Protection Devices) - 説明:
9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEAD - 株式:
103543
- モデル:
BS108ZL1G - メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - 説明:
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 - 株式:
5349
- モデル:
BS12I-NICAD - メーカー:
MPD (Memory Protection Devices) - 説明:
NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY - 株式:
5160
- モデル:
BS12I-MC - メーカー:
MPD (Memory Protection Devices) - 説明:
SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDED - 株式:
109461
- モデル:
BS12I-22 - メーカー:
MPD (Memory Protection Devices) - 説明:
9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS - 株式:
108059
- モデル:
BS12I - メーカー:
MPD (Memory Protection Devices) - 説明:
SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE - 株式:
144882