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TPH3208LSG

TPH3208LSG
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モデル TPH3208LSG
メーカー Transphorm
説明 MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 10519 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs60 pcs
$4.987$4.488$4.089
120 pcs300 pcs540 pcs
$3.69$3.39$3.091

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モデル TPH3208LSG メーカー Transphorm
説明 MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 10519 pcs データシート TPH3208L Series
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.6V @ 300µA
Vgs(最大) ±18V 技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ 3-PQFN (8x8) シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 130 mOhm @ 14A, 8V 電力消費(最大) 96W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース 3-PowerDFN
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 3 (168 Hours) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 760pF @ 400V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 42nC @ 8V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 8V ソース電圧(VDSS)にドレイン 650V
詳細な説明 N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8) 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)

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