DGD2118S8-13

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| モデル | DGD2118S8-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 説明 | IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SO |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 (US $) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.35 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | DGD2118S8-13 | メーカー | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 説明 | IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SO | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 57161 pcs | データシート | DGD2117, DGD2118 |
| プロダクト | 集積回路 (ic) | 電源電圧 - | 10 V ~ 20 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | シリーズ | - |
| 立上り/立下り時間(Typ) | 75ns, 35ns | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数 | 1 | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) | メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 6V, 9.5V | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力タイプ | Non-Inverting | ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 600V |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | 駆動構成 | High-Side |
| 詳細な説明 | High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO | 電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 290mA, 600mA |
| ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) | Single |
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