DGD2190S8-13
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| モデル | DGD2190S8-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 説明 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 2500 pcs | 5000 pcs | 12500 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.287 | $0.276 | $0.266 | |||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | DGD2190S8-13 | メーカー | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 説明 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 72195 pcs | データシート | DGD2190 |
| プロダクト | 集積回路 (ic) | 電源電圧 - | 10 V ~ 20 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | シリーズ | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 25ns, 20ns | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 他の名前 | DGD2190S8-13DITR |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 入力周波数 | 2 |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 3 (168 Hours) |
| メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks | ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.5V |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力タイプ | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600V | ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | Half-Bridge | 詳細な説明 | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 4.5A, 4.5A | ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent |
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