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EPC2030ENGR

EPC2030ENGR
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モデル EPC2030ENGR
メーカー EPC
説明 TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 16666 pcs
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(US $)
100 pcs
$1.815

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Product parameter

モデル EPC2030ENGR メーカー EPC
説明 TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 16666 pcs データシート EPC2030 Preliminary Datasheet
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - テスト 1900pF @ 20V
電圧 - ブレークダウン Die 同上@ VGS(TH)(最大) 2.4 mOhm @ 30A, 5V
技術 GaNFET (Gallium Nitride) シリーズ eGaN®
RoHSステータス Tray 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 31A (Ta)
偏光 Die 他の名前 917-EPC2030ENGR
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 製造元の部品番号 EPC2030ENGR
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 18nC @ 5V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 2.5V @ 16mA
FET特長 N-Channel 拡張された説明 N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die
ソース電圧(VDSS)にドレイン - 説明 TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40V 静電容量比 -

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