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EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT
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モデル EPC2030ENGRT
メーカー EPC
説明 MOSFET NCH 40V 31A DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 21886 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs250 pcs
$2.637$2.374$2.163$1.952$1.794

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Product parameter

モデル EPC2030ENGRT メーカー EPC
説明 MOSFET NCH 40V 31A DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 21886 pcs データシート EPC2030 Preliminary Datasheet
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 16mA
Vgs(最大) +6V, -4V 技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ Die シリーズ eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2.4 mOhm @ 30A, 5V 電力消費(最大) -
パッケージング Original-Reel® パッケージ/ケース Die
他の名前 917-EPC2030ENGRDKR 運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 16 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1900pF @ 20V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 18nC @ 5V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V ソース電圧(VDSS)にドレイン 40V
詳細な説明 N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 31A (Ta)

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