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EPC2034ENGR

EPC2034ENGR
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モデル EPC2034ENGR
メーカー EPC
説明 TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 5412 pcs
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モデル EPC2034ENGR メーカー EPC
説明 TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 5412 pcs データシート EPC2034 Datasheet
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - テスト 940pF @ 100V
電圧 - ブレークダウン Die 同上@ VGS(TH)(最大) 10 mOhm @ 20A, 5V
技術 GaNFET (Gallium Nitride) シリーズ eGaN®
RoHSステータス Tray 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 31A (Ta)
偏光 Die 他の名前 917-EPC2034ENGR
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 製造元の部品番号 EPC2034ENGR
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 8.5nC @ 5V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 2.5V @ 7mA
FET特長 N-Channel 拡張された説明 N-Channel 200V 31A (Ta) Surface Mount Die
ソース電圧(VDSS)にドレイン - 説明 TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 200V 静電容量比 -

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