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EPC2038ENGR

EPC2038ENGR
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モデル EPC2038ENGR
メーカー EPC
説明 TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 120833 pcs
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(US $)
2500 pcs5000 pcs
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Product parameter

モデル EPC2038ENGR メーカー EPC
説明 TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 120833 pcs データシート EPC2038
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 20µA
Vgs(最大) +6V, -4V 技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ Die シリーズ eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 3.3 Ohm @ 50mA, 5V 電力消費(最大) -
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース Die
他の名前 917-EPC2038ENGRTR 運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 8.4pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 0.044nC @ 5V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100V 詳細な説明 N-Channel 100V 500mA (Ta) Surface Mount Die
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 500mA (Ta)

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