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EPC2050ENGRT

EPC2050ENGRT
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モデル EPC2050ENGRT
メーカー EPC
説明 TRANS GAN 350V BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 21159 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs250 pcs
$2.35$2.097$1.887$1.72$1.552

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Product parameter

モデル EPC2050ENGRT メーカー EPC
説明 TRANS GAN 350V BUMPED DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 21159 pcs データシート EPC2050 Preliminary~
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 1.5mA
Vgs(最大) +6V, -4V 技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ Die Outline (12-Solder Bar) シリーズ eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 65 mOhm @ 6A, 5V 電力消費(最大) -
パッケージング Cut Tape (CT) パッケージ/ケース Die
他の名前 917-EPC2050ENGRCT 運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 505pF @ 280V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 4.3nC @ 5V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 350V 詳細な説明 N-Channel 350V 6.3A Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.3A

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