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EPC8002

EPC8002
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モデル EPC8002
メーカー EPC
説明 TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 52806 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
$1.217$1.088$0.979$0.892
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Product parameter

モデル EPC8002 メーカー EPC
説明 TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 52806 pcs データシート eGaN® FET BriefEPC8002 Datasheet
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) +6V, -4V 技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ Die シリーズ eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 530 mOhm @ 500mA, 5V 電力消費(最大) -
パッケージング Cut Tape (CT) パッケージ/ケース Die
他の名前 917-1118-1 運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 12 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 21pF @ 32.5V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 65V 詳細な説明 N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2A (Ta)

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