EPC8009ENGR
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| モデル | EPC8009ENGR |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | EPC8009ENGR | メーカー | EPC |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 5053 pcs | データシート | EPC8009 Preliminary DatasheeteGaN® FET Brief |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - テスト | 47pF @ 32.5V |
| 電圧 - ブレークダウン | Die | 同上@ VGS（TH）（最大） | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | シリーズ | eGaN® |
| RoHSステータス | Tray | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.1A (Ta) |
| 偏光 | Die | 他の名前 | 917-EPC8009ENGR EPC8009ENGG |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | EPC8009ENGR |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 0.38nC @ 5V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | 説明 | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65V | 静電容量比 | - |
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