IXFN100N20

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| モデル | IXFN100N20 |
|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 (US $) | 10 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.963 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | IXFN100N20 | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 4477 pcs | データシート | IXFK90N20, IXFN(100,106)N20 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 8mA |
| Vgs(最大) | ±20V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | シリーズ | HiPerFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 23 mOhm @ 500mA, 10V | 電力消費(最大) | 520W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9000pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 380nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200V |
| 詳細な説明 | N-Channel 200V 100A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) |
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