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IXFN100N20

IXFN100N20
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モデル IXFN100N20
メーカー IXYS Corporation
説明 MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 4477 pcs
価格
(US $)
10 pcs
$7.963

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モデル IXFN100N20 メーカー IXYS Corporation
説明 MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 4477 pcs データシート IXFK90N20, IXFN(100,106)N20
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 8mA
Vgs(最大) ±20V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B シリーズ HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 23 mOhm @ 500mA, 10V 電力消費(最大) 520W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 9000pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 380nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 200V
詳細な説明 N-Channel 200V 100A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Tc)

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  • モデル:IXFN102N30P
  • メーカー:IXYS
  • 説明:MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
  • 株式:5163
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