IXFN110N85X
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| モデル | IXFN110N85X |
|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation |
| 説明 | MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $19.454 | $18.193 | $15.774 | |||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | IXFN110N85X | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 2468 pcs | データシート | IXFN110N85X Preliminary |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 8mA |
| Vgs（最大） | ±30V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | シリーズ | HiPerFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 33 mOhm @ 55A, 10V | 電力消費（最大） | 1170W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Chassis Mount |
| メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 17000pF @ 25V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 425nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 850V |
| 詳細な説明 | N-Channel 850V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) |
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