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EMB10T2R

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モデル EMB10T2R
メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 558342 pcs
価格
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$0.036

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モデル EMB10T2R メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 558342 pcs データシート EMT6 T2R Taping SpecEMB10, UMB10N, IMB10A
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 250µA, 5mA トランジスタ型式 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ EMT6 シリーズ -
抵抗器ベース(R2) 47 kOhms 抵抗器 - ベース(R1) 2.2 kOhms
電力 - 最大 150mW パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666 他の名前 EMB10T2R-ND
EMB10T2RTR
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 80 @ 10mA, 5V 電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA ベース部品番号 MB10

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