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EMB11FHAT2R

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モデル EMB11FHAT2R
メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS 2PNP 100MA EMT6
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 905508 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
$0.149$0.134$0.096$0.075
250 pcs500 pcs1000 pcs2500 pcs
$0.047$0.04$0.027$0.025

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モデル EMB11FHAT2R メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS 2PNP 100MA EMT6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 905508 pcs データシート EMT6 T2R Taping SpecEMB11FHA
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) -
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 500µA, 10mA トランジスタ型式 2 PNP Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ EMT6 シリーズ Automotive, AEC-Q101
抵抗器ベース(R2) 10 kOhms 抵抗器 - ベース(R1) 10 kOhms
電力 - 最大 150mW パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666 他の名前 EMB11FHAT2RCT
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 7 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 30 @ 5mA, 5V 電流 - コレクタ遮断(最大) -
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA

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