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モデル IMD2AT108
メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 823197 pcs
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モデル IMD2AT108 メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 823197 pcs データシート EMD2, UMD2N, IMD2ASMT6 T108 Taping Spec
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 500µA, 10mA トランジスタ型式 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ SMT6 シリーズ -
抵抗器ベース(R2) 22 kOhms 抵抗器 - ベース(R1) 22 kOhms
電力 - 最大 300mW パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SC-74, SOT-457 他の名前 IMD2AT108-ND
IMD2AT108TR
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 56 @ 5mA, 5V 電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA ベース部品番号 *MD2

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