IMD8AT108
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| モデル | IMD8AT108 |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Semiconductor |
| 説明 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.039 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | IMD8AT108 | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 563135 pcs | データシート | IMD8A |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 50V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 500µA, 5mA | トランジスタ型式 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SMT6 | シリーズ | - |
| 抵抗器ベース（R2） | - | 抵抗器 - ベース（R1） | 47 kOhms |
| 電力 - 最大 | 300mW | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | SC-74, SOT-457 | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション | - | 詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 100 @ 1mA, 5V | 電流 - コレクタ遮断（最大） | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 100mA |
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